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GaN材料相信大家都不陌生了，就连电梯广告的快充都打着第三代GaN快充技术。氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。业界认为，在未来数年间，氮化镓功率器件的成本可望压低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等价格。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
最近看了一篇GaN技术和市场的技术报告，写的还是很全面的，
GaN器件的功率密度是砷化镓（GaAs）器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能够提供更宽的带宽，更高的放大器增益和更高的效率，这是由于器件外围更小。
GaN场效应晶体管（FET）器件的工作电压可以比同类GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的电压下工作，因此设计人员可以更轻松地在窄带放大器设计上实现阻抗匹配。阻抗匹配是以这样的方式设计电负载的输入阻抗的实践，其最大化从设备到负载的功率传输。
GaNFET器件的电流是GaAsFET器件的两倍。由于GaNFET器件可提供的电流是GaAsFET器件的两倍，因此GaNFET器件具有更高的带宽能力。大部分的半导体器件对于温度的变化都是非常敏感的，为了保证可靠性，半导体的温度变化必须被控制在一定范围内。
里面还有很多GaN专利的争斗事件，也可以看看，挺有意思的，想要PDF的可以公众号联系我。
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